జీ సబ్‌స్ట్రేట్
వివరణ
Ge సింగిల్ క్రిస్టల్ ఇన్‌ఫ్రారెడ్ మరియు IC పరిశ్రమకు అద్భుతమైన సెమీకండక్టర్.
లక్షణాలు
| వృద్ధి పద్ధతి | Czochralski పద్ధతి | ||
| క్రిస్టల్ నిర్మాణం | M3 | ||
| యూనిట్ సెల్ స్థిరం | a=5.65754 Å | ||
| సాంద్రత (గ్రా/సెం3) | 5.323 | ||
| మెల్టింగ్ పాయింట్ (℃) | 937.4 | ||
| డోప్డ్ మెటీరియల్ | డోప్ చేయలేదు | Sb-డోప్ చేయబడింది | లో / Ga -డోప్ చేయబడింది |
| టైప్ చేయండి | / | N | P |
| రెసిస్టివిటీ | ＞35Ω సెం.మీ | 0.05Ω సెం.మీ | 0.05~0.1Ωసెం.మీ |
| EPD | ＜4×103∕సెం2 | ＜4×103∕సెం2 | ＜4×103∕సెం2 |
| పరిమాణం | 10x3, 10x5, 10x10, 15x15,, 20x15, 20x20, | ||
| డయా2" x 0.33 మిమీ డయా2" x 0.43 మిమీ 15 x 15 మిమీ | |||
| మందం | 0.5 మిమీ, 1.0 మిమీ | ||
| పాలిషింగ్ | సింగిల్ లేదా డబుల్ | ||
| క్రిస్టల్ ఓరియంటేషన్ | <100>、<110>、<111>、±0.5º | ||
| Ra | ≤5Å（5µm×5µm） | ||
Ge సబ్‌స్ట్రేట్ నిర్వచనం
Ge సబ్‌స్ట్రేట్ అనేది మూలకం జెర్మేనియం (Ge)తో తయారు చేయబడిన ఉపరితలాన్ని సూచిస్తుంది.జెర్మేనియం అనేది ప్రత్యేకమైన ఎలక్ట్రానిక్ లక్షణాలతో కూడిన సెమీకండక్టర్ పదార్థం, ఇది వివిధ రకాల ఎలక్ట్రానిక్ మరియు ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్ అనువర్తనాలకు అనుకూలంగా ఉంటుంది.
ఎలక్ట్రానిక్ పరికరాల తయారీలో, ముఖ్యంగా సెమీకండక్టర్ టెక్నాలజీ రంగంలో Ge సబ్‌స్ట్రేట్‌లను సాధారణంగా ఉపయోగిస్తారు.సిలికాన్ (Si) వంటి ఇతర సెమీకండక్టర్ల యొక్క సన్నని చలనచిత్రాలు మరియు ఎపిటాక్సియల్ పొరలను డిపాజిట్ చేయడానికి అవి మూల పదార్థాలుగా ఉపయోగించబడతాయి.హై-స్పీడ్ ట్రాన్సిస్టర్‌లు, ఫోటోడెటెక్టర్‌లు మరియు సౌర ఘటాల వంటి నిర్దిష్ట లక్షణాలతో హెటెరోస్ట్రక్చర్‌లు మరియు కాంపౌండ్ సెమీకండక్టర్ లేయర్‌లను పెంచడానికి Ge సబ్‌స్ట్రేట్‌లను ఉపయోగించవచ్చు.
జెర్మేనియం ఫోటోనిక్స్ మరియు ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్స్‌లో కూడా ఉపయోగించబడుతుంది, ఇక్కడ దీనిని పెరుగుతున్న ఇన్‌ఫ్రారెడ్ (IR) డిటెక్టర్లు మరియు లెన్స్‌లకు సబ్‌స్ట్రేట్‌గా ఉపయోగించవచ్చు.Ge సబ్‌స్ట్రేట్‌లు ఇన్‌ఫ్రారెడ్ అప్లికేషన్‌లకు అవసరమైన లక్షణాలను కలిగి ఉంటాయి, అవి మధ్య-పరారుణ ప్రాంతంలో విస్తృత ప్రసార పరిధి మరియు తక్కువ ఉష్ణోగ్రతల వద్ద అద్భుతమైన మెకానికల్ లక్షణాలు.
Ge సబ్‌స్ట్రేట్‌లు సిలికాన్‌కు దగ్గరగా సరిపోలిన లాటిస్ నిర్మాణాన్ని కలిగి ఉంటాయి, వాటిని Si-ఆధారిత ఎలక్ట్రానిక్స్‌తో అనుసంధానం చేయడానికి అనుకూలంగా ఉంటాయి.ఈ అనుకూలత హైబ్రిడ్ నిర్మాణాల కల్పనను మరియు అధునాతన ఎలక్ట్రానిక్ మరియు ఫోటోనిక్ పరికరాల అభివృద్ధిని అనుమతిస్తుంది.
సారాంశంలో, Ge సబ్‌స్ట్రేట్ అనేది జెర్మేనియంతో తయారు చేయబడిన ఉపరితలాన్ని సూచిస్తుంది, ఇది ఎలక్ట్రానిక్ మరియు ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్ అనువర్తనాల్లో ఉపయోగించే సెమీకండక్టర్ పదార్థం.ఎలక్ట్రానిక్స్, ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్స్ మరియు ఫోటోనిక్స్ రంగాలలో వివిధ పరికరాల తయారీని ఎనేబుల్ చేస్తూ, ఇతర సెమీకండక్టర్ మెటీరియల్స్ వృద్ధికి ఇది వేదికగా పనిచేస్తుంది.
